IXYS - IXFX360N15T2

KEY Part #: K6402182

IXFX360N15T2 Цены (доллары США) [4423шт сток]

  • 1 pcs$10.77172
  • 10 pcs$9.96558
  • 100 pcs$8.51115

номер части:
IXFX360N15T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFX360N15T2 electronic components. IXFX360N15T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX360N15T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX360N15T2 Атрибуты продукта

номер части : IXFX360N15T2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247
Серии : GigaMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 360A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 715nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 47500pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1670W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

  • BS170-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • TK90S06N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.

  • IRLR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.