Diodes Incorporated - DMN3009LFVW-7

KEY Part #: K6407564

DMN3009LFVW-7 Цены (доллары США) [339977шт сток]

  • 1 pcs$0.10879

номер части:
DMN3009LFVW-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3009LFVW-7 electronic components. DMN3009LFVW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3009LFVW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3009LFVW-7 Атрибуты продукта

номер части : DMN3009LFVW-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2000pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount, Wettable Flank
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8 (Type UX)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR8256TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.