ON Semiconductor - FDP39N20

KEY Part #: K6397821

FDP39N20 Цены (доллары США) [40137шт сток]

  • 1 pcs$0.74004
  • 10 pcs$0.65600
  • 100 pcs$0.51832
  • 500 pcs$0.40196
  • 1,000 pcs$0.30018

номер части:
FDP39N20
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 39A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - одинарные and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDP39N20 electronic components. FDP39N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP39N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP39N20 Атрибуты продукта

номер части : FDP39N20
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 200V 39A TO-220
Серии : UniFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 39A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2130pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 251W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.