IXYS - MMIX1F420N10T

KEY Part #: K6395667

MMIX1F420N10T Цены (доллары США) [2818шт сток]

  • 1 pcs$16.98918
  • 20 pcs$16.90466

номер части:
MMIX1F420N10T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS MMIX1F420N10T electronic components. MMIX1F420N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMIX1F420N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMIX1F420N10T Атрибуты продукта

номер части : MMIX1F420N10T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
Серии : GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 334A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 670nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4700pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 680W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 24-SMPD
Пакет / Дело : 24-PowerSMD, 21 Leads