Diodes Incorporated - DMT3008LFDF-13

KEY Part #: K6396032

DMT3008LFDF-13 Цены (доллары США) [286875шт сток]

  • 1 pcs$0.12893
  • 10,000 pcs$0.11311

номер части:
DMT3008LFDF-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 12A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMT3008LFDF-13 electronic components. DMT3008LFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT3008LFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT3008LFDF-13 Атрибуты продукта

номер части : DMT3008LFDF-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 30V 12A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 886pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 800mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : U-DFN2020-6 (Type F)
Пакет / Дело : 6-UDFN Exposed Pad

Вы также можете быть заинтересованы в