Toshiba Semiconductor and Storage - TK31N60X,S1F

KEY Part #: K6397956

TK31N60X,S1F Цены (доллары США) [17128шт сток]

  • 1 pcs$2.64861
  • 30 pcs$2.12696
  • 120 pcs$1.93787
  • 510 pcs$1.56920
  • 1,020 pcs$1.32342

номер части:
TK31N60X,S1F
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X,S1F electronic components. TK31N60X,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31N60X,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31N60X,S1F Атрибуты продукта

номер части : TK31N60X,S1F
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Серии : DTMOSIV-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3000pF @ 300V
Функция FET : Super Junction
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 230W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK35A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS.

  • TK5A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS.

  • TK65A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 65A TO-220.