IXYS - IXFT86N30T

KEY Part #: K6395062

IXFT86N30T Цены (доллары США) [15516шт сток]

  • 1 pcs$2.93630
  • 90 pcs$2.92170

номер части:
IXFT86N30T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 86A TO268.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFT86N30T electronic components. IXFT86N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT86N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT86N30T Атрибуты продукта

номер части : IXFT86N30T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 300V 86A TO268
Серии : HiPerFET™, TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 86A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 11300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 860W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-268
Пакет / Дело : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA