Diodes Incorporated - DMP3008SFGQ-13

KEY Part #: K6394628

DMP3008SFGQ-13 Цены (доллары США) [153564шт сток]

  • 1 pcs$0.24086
  • 3,000 pcs$0.21317

номер части:
DMP3008SFGQ-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-13 electronic components. DMP3008SFGQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP3008SFGQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP3008SFGQ-13 Атрибуты продукта

номер части : DMP3008SFGQ-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2230pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 900mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerWDFN