Toshiba Semiconductor and Storage - TK30A06N1,S4X

KEY Part #: K6398141

TK30A06N1,S4X Цены (доллары США) [99490шт сток]

  • 1 pcs$0.43064
  • 50 pcs$0.31426
  • 100 pcs$0.27369
  • 500 pcs$0.20273
  • 1,000 pcs$0.16219

номер части:
TK30A06N1,S4X
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1,S4X electronic components. TK30A06N1,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK30A06N1,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK30A06N1,S4X Атрибуты продукта

номер части : TK30A06N1,S4X
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1050pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 25W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220SIS
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.