IXYS - IXTH80N20L

KEY Part #: K6394652

IXTH80N20L Цены (доллары США) [9851шт сток]

  • 1 pcs$4.62421
  • 60 pcs$4.60120

номер части:
IXTH80N20L
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTH80N20L electronic components. IXTH80N20L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH80N20L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH80N20L Атрибуты продукта

номер части : IXTH80N20L
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
Серии : Linear™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6160pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 520W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 (IXTH)
Пакет / Дело : TO-247-3