STMicroelectronics - STB33N60DM2

KEY Part #: K6396635

STB33N60DM2 Цены (доллары США) [37935шт сток]

  • 1 pcs$1.03072
  • 1,000 pcs$0.91752

номер части:
STB33N60DM2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 24A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STB33N60DM2 electronic components. STB33N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB33N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB33N60DM2 Атрибуты продукта

номер части : STB33N60DM2
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 24A
Серии : MDmesh™ DM2
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 24A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1870pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 190W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.

  • SIHA20N50E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP.

  • CSD16411Q3

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON.