ON Semiconductor - FDMS86101DC

KEY Part #: K6395264

FDMS86101DC Цены (доллары США) [53461шт сток]

  • 1 pcs$0.73504
  • 3,000 pcs$0.73139

номер части:
FDMS86101DC
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDMS86101DC electronic components. FDMS86101DC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86101DC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86101DC Атрибуты продукта

номер части : FDMS86101DC
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
Серии : Dual Cool™, PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3135pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : Dual Cool™56
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в