Global Power Technologies Group - GSID300A125S5C1

KEY Part #: K6532696

GSID300A125S5C1 Цены (доллары США) [261шт сток]

  • 1 pcs$177.14242
  • 10 pcs$168.59058
  • 25 pcs$162.48218

номер части:
GSID300A125S5C1
производитель:
Global Power Technologies Group
Подробное описание:
IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID300A125S5C1 electronic components. GSID300A125S5C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID300A125S5C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID300A125S5C1 Атрибуты продукта

номер части : GSID300A125S5C1
производитель : Global Power Technologies Group
Описание : IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Level Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1250V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 600A
Мощность - Макс : 2500W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 300A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 30.8nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.