Infineon Technologies - 2ED300C17SROHSBPSA1

KEY Part #: K6532787

2ED300C17SROHSBPSA1 Цены (доллары США) [610шт сток]

  • 1 pcs$76.15156

номер части:
2ED300C17SROHSBPSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE 1700V 30A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies 2ED300C17SROHSBPSA1 electronic components. 2ED300C17SROHSBPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2ED300C17SROHSBPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2ED300C17SROHSBPSA1 Атрибуты продукта

номер части : 2ED300C17SROHSBPSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE 1700V 30A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : 2 Independent
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : -
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : -
Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -25°C ~ 85°C
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT