номер части :
GSID150A120T2C1
производитель :
Global Power Technologies Group
Описание :
SILICON IGBT MODULES
Состояние детали :
Active
конфигурация :
Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
285A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
21.2nF @ 25V
вход :
Three Phase Bridge Rectifier
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module