Toshiba Semiconductor and Storage - TK6P65W,RQ

KEY Part #: K6420320

TK6P65W,RQ Цены (доллары США) [182018шт сток]

  • 1 pcs$0.22465
  • 2,000 pcs$0.22353

номер части:
TK6P65W,RQ
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ electronic components. TK6P65W,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6P65W,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6P65W,RQ Атрибуты продукта

номер части : TK6P65W,RQ
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 390pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в