Infineon Technologies - FP15R12W1T4PBPSA1

KEY Part #: K6532690

FP15R12W1T4PBPSA1 Цены (доллары США) [2361шт сток]

  • 1 pcs$18.33741

номер части:
FP15R12W1T4PBPSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FP15R12W1T4PBPSA1 electronic components. FP15R12W1T4PBPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP15R12W1T4PBPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP15R12W1T4PBPSA1 Атрибуты продукта

номер части : FP15R12W1T4PBPSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2
Серии : EasyPIM™ 1B
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 30A
Мощность - Макс : 20mW
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 15A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 890pF @ 25V
вход : Three Phase Bridge Rectifier
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.