ON Semiconductor - FDT86256

KEY Part #: K6395156

FDT86256 Цены (доллары США) [202426шт сток]

  • 1 pcs$0.18363
  • 4,000 pcs$0.18272

номер части:
FDT86256
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDT86256 electronic components. FDT86256 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT86256, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDT86256 Атрибуты продукта

номер части : FDT86256
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 845 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 2nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 73pF @ 75V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-223-4
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA