Infineon Technologies - IPD50R650CEATMA1

KEY Part #: K6402338

IPD50R650CEATMA1 Цены (доллары США) [2739шт сток]

  • 2,500 pcs$0.11645

номер части:
IPD50R650CEATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD50R650CEATMA1 electronic components. IPD50R650CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R650CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50R650CEATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD50R650CEATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Серии : CoolMOS™ CE
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 342pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 69W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в