IXYS - IXTP18P10T

KEY Part #: K6394685

IXTP18P10T Цены (доллары США) [50279шт сток]

  • 1 pcs$0.89473
  • 10 pcs$0.80777
  • 100 pcs$0.64910
  • 500 pcs$0.50486
  • 1,000 pcs$0.41831

номер части:
IXTP18P10T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP18P10T electronic components. IXTP18P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP18P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP18P10T Атрибуты продукта

номер части : IXTP18P10T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
Серии : TrenchP™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±15V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2100pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3