Infineon Technologies - IPB70N10S3L12ATMA1

KEY Part #: K6419303

IPB70N10S3L12ATMA1 Цены (доллары США) [103519шт сток]

  • 1 pcs$0.37772
  • 1,000 pcs$0.32777

номер части:
IPB70N10S3L12ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB70N10S3L12ATMA1 electronic components. IPB70N10S3L12ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB70N10S3L12ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB70N10S3L12ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB70N10S3L12ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5550pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-3-2
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в