Microsemi Corporation - APT100GT60JR

KEY Part #: K6532753

APT100GT60JR Цены (доллары США) [4345шт сток]

  • 1 pcs$11.73076
  • 10 pcs$10.84956
  • 25 pcs$9.96966
  • 100 pcs$9.26600
  • 250 pcs$8.50359
  • 500 pcs$7.69829

номер части:
APT100GT60JR
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 600V 148A 500W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GT60JR electronic components. APT100GT60JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GT60JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT60JR Атрибуты продукта

номер части : APT100GT60JR
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 600V 148A 500W SOT227
Серии : Thunderbolt IGBT®
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 148A
Мощность - Макс : 500W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 25µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 5.15nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : ISOTOP
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT