IXYS - IXTH1N170DHV

KEY Part #: K6395198

IXTH1N170DHV Цены (доллары США) [9949шт сток]

  • 1 pcs$4.14170

номер части:
IXTH1N170DHV
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTH1N170DHV electronic components. IXTH1N170DHV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH1N170DHV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH1N170DHV Атрибуты продукта

номер части : IXTH1N170DHV
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1700V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1A (Tj)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 47nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3090pF @ 25V
Функция FET : Depletion Mode
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 290W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247HV
Пакет / Дело : TO-247-3 Variant

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.