IXYS - IXFQ26N50P3

KEY Part #: K6394870

IXFQ26N50P3 Цены (доллары США) [21314шт сток]

  • 1 pcs$2.13760
  • 30 pcs$2.12696

номер части:
IXFQ26N50P3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFQ26N50P3 electronic components. IXFQ26N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ26N50P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ26N50P3 Атрибуты продукта

номер части : IXFQ26N50P3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
Серии : HiPerFET™, Polar3™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 26A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2220pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3