Vishay Siliconix - SI4850BDY-T1-GE3

KEY Part #: K6420492

SI4850BDY-T1-GE3 Цены (доллары США) [201147шт сток]

  • 1 pcs$0.18388

номер части:
SI4850BDY-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - JFETs and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4850BDY-T1-GE3 electronic components. SI4850BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4850BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4850BDY-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI4850BDY-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 60V SO-8
Серии : TrenchFET® Gen IV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 790pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в