Panasonic Electronic Components - FK4B01120L1

KEY Part #: K6402026

FK4B01120L1 Цены (доллары США) [312570шт сток]

  • 1 pcs$0.11833

номер части:
FK4B01120L1
производитель:
Panasonic Electronic Components
Подробное описание:
CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Panasonic Electronic Components FK4B01120L1 electronic components. FK4B01120L1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FK4B01120L1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FK4B01120L1 Атрибуты продукта

номер части : FK4B01120L1
производитель : Panasonic Electronic Components
Описание : CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 394µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 490pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 370mW (Ta)
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : ULGA004-W-1010-RA01
Пакет / Дело : 4-XFLGA, CSP

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.