ON Semiconductor - FDD3N40TM

KEY Part #: K6392700

FDD3N40TM Цены (доллары США) [292289шт сток]

  • 1 pcs$0.12654
  • 2,500 pcs$0.12282

номер части:
FDD3N40TM
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDD3N40TM electronic components. FDD3N40TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD3N40TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD3N40TM Атрибуты продукта

номер части : FDD3N40TM
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Серии : UniFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 400V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 225pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 30W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в