Infineon Technologies - IRL2505STRLPBF

KEY Part #: K6399297

IRL2505STRLPBF Цены (доллары США) [63097шт сток]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08581
  • 100 pcs$0.87262

номер части:
IRL2505STRLPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRL2505STRLPBF electronic components. IRL2505STRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL2505STRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL2505STRLPBF Атрибуты продукта

номер части : IRL2505STRLPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 104A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 130nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в