STMicroelectronics - STB4NK60Z-1

KEY Part #: K6399508

STB4NK60Z-1 Цены (доллары США) [49221шт сток]

  • 1 pcs$0.79439
  • 10 pcs$0.71746
  • 100 pcs$0.57639
  • 500 pcs$0.44830
  • 1,000 pcs$0.37145

номер части:
STB4NK60Z-1
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STB4NK60Z-1 electronic components. STB4NK60Z-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB4NK60Z-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB4NK60Z-1 Атрибуты продукта

номер части : STB4NK60Z-1
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Серии : SuperMESH™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 510pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 70W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I2PAK
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.