Global Power Technologies Group - GP1M009A090H

KEY Part #: K6402685

[2618шт сток]


    номер части:
    GP1M009A090H
    производитель:
    Global Power Technologies Group
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 900V 9A TO220.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP1M009A090H electronic components. GP1M009A090H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M009A090H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M009A090H Атрибуты продукта

    номер части : GP1M009A090H
    производитель : Global Power Technologies Group
    Описание : MOSFET N-CH 900V 9A TO220
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 65nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±30V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2324pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 290W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-220
    Пакет / Дело : TO-220-3

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.