IXYS - IXKP10N60C5M

KEY Part #: K6407736

[8606шт сток]


    номер части:
    IXKP10N60C5M
    производитель:
    IXYS
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in IXYS IXKP10N60C5M electronic components. IXKP10N60C5M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKP10N60C5M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXKP10N60C5M Атрибуты продукта

    номер части : IXKP10N60C5M
    производитель : IXYS
    Описание : MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
    Серии : CoolMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.4A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 385 mOhm @ 5.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 340µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 790pF @ 100V
    Функция FET : Super Junction
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-220ABFP
    Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • FDD6782A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 20A DPAK.

    • FDD6796A

      ON Semiconductor

      MOSFET NCH 25V 20A DPAK.

    • FDD6778A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 12A DPAK.