IXYS - IXFH120N25T

KEY Part #: K6394799

IXFH120N25T Цены (доллары США) [10182шт сток]

  • 1 pcs$4.47436
  • 60 pcs$4.45210

номер части:
IXFH120N25T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 120A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH120N25T electronic components. IXFH120N25T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH120N25T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH120N25T Атрибуты продукта

номер части : IXFH120N25T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
Серии : HiPerFET™, TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 11300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 890W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3