Vishay Siliconix - SQM40031EL_GE3

KEY Part #: K6399223

SQM40031EL_GE3 Цены (доллары США) [53470шт сток]

  • 1 pcs$0.73126
  • 800 pcs$0.69323

номер части:
SQM40031EL_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQM40031EL_GE3 electronic components. SQM40031EL_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM40031EL_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM40031EL_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQM40031EL_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 800nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 39000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 375W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN1206L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • VN10KN3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.

  • IRLIZ44NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP.

  • R6012FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM.

  • IRFI9540GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 100V 11A TO220FP.