Vishay Siliconix - SUM60N10-17-E3

KEY Part #: K6418304

SUM60N10-17-E3 Цены (доллары США) [58938шт сток]

  • 1 pcs$0.66342
  • 800 pcs$0.56461

номер части:
SUM60N10-17-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SUM60N10-17-E3 electronic components. SUM60N10-17-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUM60N10-17-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM60N10-17-E3 Атрибуты продукта

номер части : SUM60N10-17-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D2Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в