Vishay Siliconix - SI7858BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6419553

SI7858BDP-T1-GE3 Цены (доллары США) [118801шт сток]

  • 1 pcs$0.31134
  • 3,000 pcs$0.29235

номер части:
SI7858BDP-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7858BDP-T1-GE3 electronic components. SI7858BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7858BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7858BDP-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI7858BDP-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 84nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5760pF @ 6V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в