Diodes Incorporated - DMP3030SN-7

KEY Part #: K6393361

DMP3030SN-7 Цены (доллары США) [773543шт сток]

  • 1 pcs$0.04782
  • 3,000 pcs$0.04307

номер части:
DMP3030SN-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - JFETs, Модули питания драйверов and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMP3030SN-7 electronic components. DMP3030SN-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP3030SN-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP3030SN-7 Атрибуты продукта

номер части : DMP3030SN-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 700mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 160pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-59-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3