ON Semiconductor - FDD6780

KEY Part #: K6408157

[725шт сток]


    номер части:
    FDD6780
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - РФ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor FDD6780 electronic components. FDD6780 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD6780, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD6780 Атрибуты продукта

    номер части : FDD6780
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK
    Серии : PowerTrench®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 25V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16.5A (Ta), 30A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 16.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 29nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1590pF @ 13V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D-PAK (TO-252)
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в