Toshiba Semiconductor and Storage - TPH8R80ANH,L1Q

KEY Part #: K6416417

TPH8R80ANH,L1Q Цены (доллары США) [128463шт сток]

  • 1 pcs$0.29556
  • 5,000 pcs$0.29409

номер части:
TPH8R80ANH,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R80ANH,L1Q electronic components. TPH8R80ANH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH8R80ANH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH8R80ANH,L1Q Атрибуты продукта

номер части : TPH8R80ANH,L1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2800pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOP Advance (5x5)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.