Infineon Technologies - IRFP3006PBF

KEY Part #: K6399489

IRFP3006PBF Цены (доллары США) [14083шт сток]

  • 1 pcs$2.81167
  • 10 pcs$2.50891
  • 100 pcs$2.05723
  • 500 pcs$1.66585
  • 1,000 pcs$1.40493

номер части:
IRFP3006PBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 257A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFP3006PBF electronic components. IRFP3006PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP3006PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP3006PBF Атрибуты продукта

номер части : IRFP3006PBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 257A TO247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 195A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8970pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 375W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.