Infineon Technologies - IRFR1010ZTRPBF

KEY Part #: K6420053

IRFR1010ZTRPBF Цены (доллары США) [155231шт сток]

  • 1 pcs$0.24197
  • 2,000 pcs$0.24076

номер части:
IRFR1010ZTRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFR1010ZTRPBF electronic components. IRFR1010ZTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR1010ZTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR1010ZTRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR1010ZTRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 42A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2840pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 140W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в