EPC - EPC2010

KEY Part #: K6406609

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - IGBT - Модули ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in EPC EPC2010 electronic components. EPC2010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

номер части : EPC2010

производитель : EPC

Описание : GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE

Серии : eGaN®

Состояние детали : Discontinued at Digi-Key

Тип FET : N-Channel

Технология : GaNFET (Gallium Nitride)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Ta)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.5nC @ 5V

Vgs (Макс) : +6V, -4V

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 540pF @ 100V

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : -

Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C (TJ)

Тип монтажа : Surface Mount

Комплект поставки устройства : Die

Пакет / Дело : Die

Вы также можете быть заинтересованы в