ON Semiconductor - FDS6692A

KEY Part #: K6392672

FDS6692A Цены (доллары США) [247501шт сток]

  • 1 pcs$0.15019
  • 2,500 pcs$0.14944

номер части:
FDS6692A
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDS6692A electronic components. FDS6692A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6692A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6692A Атрибуты продукта

номер части : FDS6692A
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1610pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.47W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOIC
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в