ON Semiconductor - FDPF3860T

KEY Part #: K6401047

FDPF3860T Цены (доллары США) [75420шт сток]

  • 1 pcs$0.55607
  • 10 pcs$0.49169
  • 100 pcs$0.38875
  • 500 pcs$0.28518
  • 1,000 pcs$0.22514

номер части:
FDPF3860T
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDPF3860T electronic components. FDPF3860T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDPF3860T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDPF3860T Атрибуты продукта

номер части : FDPF3860T
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38.2 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 33.8W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220F
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в