ON Semiconductor - FDH3632

KEY Part #: K6416085

FDH3632 Цены (доллары США) [15904шт сток]

  • 1 pcs$2.54284
  • 10 pcs$2.27137
  • 100 pcs$1.86235
  • 500 pcs$1.50804
  • 1,000 pcs$1.27184

номер части:
FDH3632
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDH3632 electronic components. FDH3632 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDH3632, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDH3632 Атрибуты продукта

номер части : FDH3632
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 310W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в