Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J511NU,LF

KEY Part #: K6417367

SSM6J511NU,LF Цены (доллары США) [691214шт сток]

  • 1 pcs$0.05916
  • 3,000 pcs$0.05886

номер части:
SSM6J511NU,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU,LF electronic components. SSM6J511NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J511NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J511NU,LF Атрибуты продукта

номер части : SSM6J511NU,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
Серии : U-MOSVII
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 14A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 47nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3350pF @ 6V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 6-UDFNB (2x2)
Пакет / Дело : 6-WDFN Exposed Pad

Вы также можете быть заинтересованы в
  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • FQD5P20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.