Diodes Incorporated - DMP2010UFV-13

KEY Part #: K6394120

DMP2010UFV-13 Цены (доллары США) [369109шт сток]

  • 1 pcs$0.10021

номер части:
DMP2010UFV-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMP2010UFV-13 electronic components. DMP2010UFV-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP2010UFV-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP2010UFV-13 Атрибуты продукта

номер части : DMP2010UFV-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3350pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в