ON Semiconductor - FQU20N06LTU

KEY Part #: K6392732

FQU20N06LTU Цены (доллары США) [89066шт сток]

  • 1 pcs$0.51008
  • 10 pcs$0.45029
  • 100 pcs$0.33673
  • 500 pcs$0.26112
  • 1,000 pcs$0.20615

номер части:
FQU20N06LTU
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQU20N06LTU electronic components. FQU20N06LTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU20N06LTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU20N06LTU Атрибуты продукта

номер части : FQU20N06LTU
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 17.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 630pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I-PAK
Пакет / Дело : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы также можете быть заинтересованы в