IXYS - IXTP05N100M

KEY Part #: K6395165

IXTP05N100M Цены (доллары США) [41564шт сток]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

номер части:
IXTP05N100M
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - JFETs and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP05N100M electronic components. IXTP05N100M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP05N100M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP05N100M Атрибуты продукта

номер части : IXTP05N100M
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 700mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 260pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 25W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3