Vishay Siliconix - SI2307CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6418323

SI2307CDS-T1-GE3 Цены (доллары США) [561959шт сток]

  • 1 pcs$0.06582
  • 3,000 pcs$0.05958

номер части:
SI2307CDS-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-GE3 electronic components. SI2307CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2307CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2307CDS-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI2307CDS-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 340pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.