IXYS - IXFT60N65X2HV

KEY Part #: K6395116

IXFT60N65X2HV Цены (доллары США) [11696шт сток]

  • 1 pcs$3.52340

номер части:
IXFT60N65X2HV
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFT60N65X2HV electronic components. IXFT60N65X2HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT60N65X2HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT60N65X2HV Атрибуты продукта

номер части : IXFT60N65X2HV
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 108nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 780W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-268HV
Пакет / Дело : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Вы также можете быть заинтересованы в